應(yīng)用訊息
上海伯東 Hakuto 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子束刻蝕機(jī) IBE (離子蝕刻機(jī)) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 納米級別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%. 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 廣泛應(yīng)用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 …, 滿足研發(fā)和量產(chǎn)需要. IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料.
離子刻蝕機(jī) 4IBE 離子刻蝕機(jī) 20IBE 全自動蝕刻機(jī) MEL 3100
離子束刻蝕機(jī) IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 配置德國 Pfeiffer 分子泵
離子束刻蝕機(jī) IBE 型號參數(shù)
上海伯東提供用于研究分析的小尺寸離子刻蝕機(jī), 用于生產(chǎn)制造的大尺寸離子蝕刻機(jī), 以及全自動刻蝕機(jī). 滿足研發(fā)和量產(chǎn)需求!
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型號 |
4IBE |
10IBE |
16IBE |
20IBE-J |
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樣品數(shù)量尺寸 |
φ4”X 1 |
φ4” X1 |
φ8” X1 |
φ6”X1 |
φ3” X8 |
φ4” X12 |
φ3” -φ6”X1 |
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離子束入射角度 |
0~± 90 |
0~± 90 |
0~± 90 |
0~± 90 |
0~± 90 |
0~± 90 |
- |
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考夫曼型 |
考夫曼型 |
考夫曼型 |
考夫曼型 |
考夫曼型 |
考夫曼型 |
- |
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極限真空度 Pa |
≦1x10-4 |
≦1x10-4 |
≦1x10-4 |
≦1x10-4 |
≦1x10-4 |
≦1x10-4 |
≦8x10-5 |
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均勻性 |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |

上海伯東日本原裝進(jìn)口離子束刻蝕機(jī)推薦應(yīng)用:
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類別 |
器件 |
刻蝕材料 |
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磁性器件 |
自旋電子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD |
Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等… |
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傳感器 MEMS |
鉑熱電阻, 流量計(jì), 紅外傳感器, 壓電打印機(jī)頭等 |
PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等… |
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RF 射頻器件 |
射頻濾波器, GaAs / GaN HEMT 等 |
Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等 |
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光電子 |
激光二極管, 光電探測器, 薄膜分裝等 |
Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等 |
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其他 |
探針卡, 薄膜片式電阻器, 氧化物, 超導(dǎo)等 |
NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等 |
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套離子刻蝕機(jī). 刻蝕機(jī)配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過 50年的離子束刻蝕市場經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過市場驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)! 上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.
若您需要進(jìn)一步的了解離子束刻蝕機(jī) IBE 詳細(xì)信息, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
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