離子束刻蝕機 20 IBE-C
上海伯東日本原裝進口 NS 離子束刻蝕機 20 IBE-C, 適用于中等規(guī)模的實驗室研究, 滿足3寸, 4寸, 6寸, 8寸多片的材料刻蝕. 采用自研公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%. 離子束刻蝕機 20 IBE-C 可選配美國 KRi 離子源或終點檢測(監(jiān)測當前氣體成分, 監(jiān)控刻蝕制程).

離子束刻蝕機 20 IBE-C 基本參數(shù)

型號	20 IBE-C	φ4 inch X 6片	可選
應用	中等規(guī)模的實驗室研發(fā)
內(nèi)置	考夫曼型離子源(或根據(jù)需求選擇射頻離子源)
基板尺寸	φ3 inch X 8片 φ4 inch X 6片 φ8 inch X 1片(可根據(jù)器件大小定制載臺)
均勻性	≤±5%
刻蝕速率	硅片 20 nm/min
工藝氣體	Ar, O2, N2
樣品臺	直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn)

 

離子束刻蝕機 20 IBE-C 組成

離子束刻蝕機 IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 可選配德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 機臺設計使用半自動化(手動放置樣品)操作流程

離子束刻蝕機推薦刻蝕應用

類別	器件	刻蝕材料
磁性器件	自旋電子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD	Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等…
傳感器 MEMS	鉑熱電阻, 流量計, 紅外傳感器, 壓電打印機頭等	PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等…
RF 射頻器件	射頻濾波器, GaAs / GaN HEMT 等	Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等
光電子	激光二極管, 光電探測器, 薄膜分裝等	Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等
其他	探針卡, 薄膜片式電阻器, 氧化物, 超導等	NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子刻蝕機. 刻蝕機配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過 50年的離子束刻蝕市場經(jīng)驗, 擁有龐大的安裝基礎和經(jīng)過市場驗證的刻蝕技術(shù)! 上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.

若您需要進一步的了解離子束刻蝕機 IBE 詳細信息, 請參考以下聯(lián)絡方式
上海伯東: 葉小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )     T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                            F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )      M: +886-975-571-910
qq: 2821409400 

www.p185.net.cn                        www.hakuto-vacuum.com.tw

現(xiàn)部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！