飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀 PHI nanoTOF 3+
上海伯東代理飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀 PHI nanoTOF 3+, 表面靈感度高, 提供表面幾個(gè)原子層的分子, 元素及其同位素的組成信息. 先進(jìn)的多功能 PHI nanoTOF 3+ 具有更強(qiáng)大的微區(qū)分析能力,更加出色的分析精度.

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀 PHI nanoTOF 3+
最新一代 TRIFT 質(zhì)量分析器, 更好的質(zhì)量分辨率
適用于絕緣材料的無(wú)人值守自動(dòng)化多樣品分析
獨(dú)特的離子束技術(shù)
平行成像 MS / MS 功能, 助力有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)分析
多功能選配附件

PHI nanoTOF 3+ 性能指標(biāo)（用Bi3++初次離子源）
低質(zhì)量數(shù)質(zhì)量分辨率：≥ 15,000 m/Δm at m/z = ²⁸Si⁺ on silicon wafer
絕緣樣品質(zhì)量分辨率： ≥ 15,000 m/Δm at m/z = C₇H₄O⁺ on the polymer PET
最小數(shù)斑尺寸：50nm (最小脈沖束斑直徑)
0.5um (在高質(zhì)量分辨率條件下的最小脈沖束斑直徑）

氬團(tuán)簇離子源 (Ar-GCIB) :  有機(jī)材料深度剖析
使用氬團(tuán)簇離子源 (Ar-GCIB) 能夠有效減少濺射過(guò)程中對(duì)有機(jī)材料的破壞, 從而在刻蝕過(guò)程中保留有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)信息.

Cs源和 Ar/O₂ 源: 無(wú)機(jī)材料深度剖析
可根據(jù)測(cè)試需求選擇不同的離子源提高二次離子產(chǎn)額, 使用 Cs 源可增強(qiáng)負(fù)離子產(chǎn)額, O₂源可增強(qiáng)正離子產(chǎn)額

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀 PHI nanoTOF 3+ 應(yīng)用場(chǎng)景
上海伯東 PHI nanoTOF3+ 能夠提供高質(zhì)量分辨和高空間分辨的 TOF-SIMS 分析: 在高質(zhì)量分辨模式下, 其空間分辨率優(yōu)于 500 nm

在高空間分辨模式下, 其空間分辨模式優(yōu)于50 nm. 通過(guò)結(jié)合高強(qiáng)度離子源, 高精度脈沖組件和高分辨率質(zhì)量分析器, 可以實(shí)現(xiàn)低噪聲, 高靈敏度和高質(zhì)量分辨率的測(cè)量; 在這兩種模式下, 只需幾分鐘的測(cè)試時(shí)間,均可完成采譜分析.


什么是飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀 TOF- SIMS
TOF-SIMS(Time of flight Secondary lon Mass Spectrometry) 是利用脈沖離子?xùn)|轟擊樣品表面產(chǎn)生二次離子, 經(jīng)飛行時(shí)間分析器分析二次離子到達(dá)探測(cè)器的時(shí)間, 從而獲得樣品表面成份信息的分析技術(shù). 其表面靈感度高, 提供表面幾個(gè)原子層的分子, 元素及其同位素的組成信息, 運(yùn)用于所有元素和同位素, 包括氫元素.

若您需要進(jìn)一步的了解 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀 詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
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