美國 KRi 霍爾離子源不規(guī)則電子晶片蒸鍍前清洗
上海伯東美國 KRi 霍爾離子源 EH 400 成功應用于蒸發(fā)鍍膜機, 協(xié)助客戶完成不規(guī)則電子晶片蒸鍍前清洗, 經過清洗后的晶片鍍膜, 膜層厚度均勻性及附著牢固度都明顯提高.

KRi 霍爾離子源在不規(guī)則電子晶片蒸鍍中的作用
設備: 進口蒸發(fā)鍍膜機, 加裝離子源
離子源型號: KRi 霍爾離子源 EH 400
預清潔應用: 通過離子 Ar 轟擊晶片表面, 去除物理或化學吸附的污染物, 清潔后在進行蒸鍍, 膜層厚度均勻性及附著牢固度都明顯提高.
去除物理吸附污染: 去除晶片表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
去除化學吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å


美國 KRi 霍爾離子源  eH 400 特性
高離子束電流滿足沉積率的臨界到達比
低離子能量通過避免高能離子對表面和界面的轟擊損傷而使產量更大化
寬束, 發(fā)散離子束通過均勻地覆蓋沉積區(qū)從而增加每次加工零件數量來提高吞吐量
堅固耐用的模塊化結構降低了備件耗材和維護時間, 減少維護成本和停機時間
無柵網, 緊湊設計, 方便加裝, 提供離子輔助功能

KRi 霍爾離子源 eH 400 技術參數:

型號	eH 400
陽極	DC
陽極電流(最大)	5A
離子束流(最大)	>750mA
陽極電壓范圍	40-300V
離子能量范圍	25-300eV
陽極功率(最大)	500W (輻射冷卻)
氣體	惰性氣體和反應氣體
氣體流量	3-30 sccm
壓力	< 1 x 10-3 Torr
離子束流直徑	4cm Φ
離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
陰極中和器	沉浸式或非沉浸式
高度	3.0” (7.62cm)
直徑	3.7” (9.4cm)

上海伯東代理美國 KRi 離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進行預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等！ 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. KRi 離子源在真空環(huán)境中實現薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能, 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.

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