inTEST 熱流儀 MOSFET 功率器件高低溫測(cè)試
上海伯東美國(guó) inTEST 高低溫沖擊熱流儀, 提供半導(dǎo)體功率器件和集成電路研發(fā)過(guò)程中各類(lèi)功率 MOSFET 器件, 光耦器件等芯片的高低溫沖擊測(cè)試, 廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子, 筆電,  5G 基站, 儲(chǔ)能, 機(jī)器人, 消費(fèi)電子等領(lǐng)域.

inTEST 熱流儀 MOSFET 功率器件高低溫測(cè)試解決方案
MOSFET 功率器件溫度可靠性測(cè)試一般要求: -40 至 125 ℃
溫度測(cè)試機(jī)器: inTEST ATS-545

測(cè)試方法: 將 MOSFET 器件放置于 inTEST 密閉玻璃罩內(nèi), 采用美國(guó) inTEST  DUT (測(cè)試元件) 方法, 可使被測(cè)芯片的溫度與設(shè)定溫度達(dá)到一致, 實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制壓縮空氣溫度的功能. 依靠這個(gè)功能, 溫控箱的形狀, 被測(cè)芯片的發(fā)熱量, 工作空氣吹到檢查對(duì)象的路徑, 都不會(huì)影響對(duì)被測(cè)芯片的溫度控制.

1. 溫度循環(huán)測(cè)試: 溫度循環(huán)測(cè)試通常按照 JESD22-A104 標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行,設(shè)置測(cè)試范圍 -40 到+125℃, 持續(xù)數(shù)千小時(shí), 以評(píng)估其在溫度變化下的穩(wěn)定性和可靠性.
2. 溫度沖擊測(cè)試: 對(duì) MOSFET 器件進(jìn)行快速低溫到高溫環(huán)境, 反之亦然, 以評(píng)估其對(duì)溫度突變的反應(yīng)


在芯片測(cè)試中, 可為測(cè)試計(jì)劃確定相應(yīng)的要求, 如溫度循環(huán)實(shí)驗(yàn), 不同等級(jí)的溫變范圍及溫差循環(huán)數(shù)等. inTEST 熱流儀可根據(jù)預(yù)先設(shè)定的溫度范圍, 實(shí)現(xiàn)快速的溫度沖擊, 如溫度范圍 -40℃～125℃, 可分別設(shè)置低溫 -40℃, 常溫 25℃ 及高溫 125℃, 熱流儀將按照先后順序自動(dòng)進(jìn)行相應(yīng)測(cè)試. 針對(duì)不同的測(cè)試應(yīng)用, inTEST 可通過(guò)每秒快速升溫或降溫 18°C, 為 MOSFET 器件提供精確且快速的環(huán)境溫度.

上海伯東美國(guó) inTEST 始終努力探索多樣的溫度控制應(yīng)用系統(tǒng), 以支持溫度測(cè)試行業(yè)的未來(lái)!
為您的射頻, 微波, 電子和高功率設(shè)備進(jìn)行高低溫測(cè)試, 設(shè)備檢測(cè)和故障分析.
 

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