上海 應(yīng)用訊息
KRi 射頻離子源 RFICP 140 又獲 8寸 MEMS 刻蝕機訂單
上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 140 應(yīng)用于 8寸 MEMS 刻蝕機, 實現(xiàn) MEMS 電極蝕刻(刻蝕材料 Au/Ti )和鐵磁多層蝕刻 (刻蝕材料 Ru/Co/Fe/Pt/Ta). 刻蝕均勻性 < 5%.
KRi 射頻離子源 RFICP 140 優(yōu)勢
等離子放電腔: 通過射頻 RFICP 技術(shù)產(chǎn)生高密度等離子束, 1kW & 1.8 MHz, 射頻自動匹配; 無燈絲, 使用壽命更長
離子源結(jié)構(gòu): 模塊化組件易于維修; 內(nèi)部基座安裝, 優(yōu)化工藝速率和均勻性
離子束: 自對準(zhǔn)技術(shù), 可選聚焦, 準(zhǔn)直, 散射;
柵網(wǎng): 標(biāo)準(zhǔn)二層, 可選三層?xùn)啪W(wǎng).(覆蓋面積更大, 精密控制離子束流的能量, 方向, 保障輸出束流質(zhì)量的同時最小化能量損耗. 對污染的工藝環(huán)境, 具備一定的防護作用.)
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陽極 |
電感耦合等離子體 |
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最大陽極功率 |
1kW |
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最大離子束流 |
> 500mA |
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電壓范圍 |
100-1200V |
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離子束動能 |
100-1200eV |
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氣體 |
Ar, O2, N2,其他 |
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流量 |
5-40sccm |
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壓力 |
< 0.5mTorr |
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離子光學(xué), 自對準(zhǔn) |
OptiBeamTM |
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離子束柵極 |
14cm Φ |
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柵極材質(zhì) |
鉬, 石墨 |
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離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000 or RFN |
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高度 |
25.1 cm |
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直徑 |
24.6 cm |
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鎖緊安裝法蘭 |
12”CF |
KRi 射頻離子源 RFICP 140 基本性能
14cm 三層鉬柵網(wǎng),聚焦型, 工藝氣體 Ar, 距離約 30 cm
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
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